양자 터널링 현상 때문에 2~4nm 이하로는 회로선폭을 줄일 수 없다는 건 당연히 물리적인 상식이죠... 2차원 웨이퍼에 계속해서 2차원 회로로 트랜지스터의 직접도를 증가 시키는 건 당연히 불가능하기 때문에 앞으로 반도체는 3차원 적측구조로 변경 되면서 문제를 어느 정도 해결할 것으로 보고 있는 것 같습니다. 정확하게 기억이 안나는데요 커즈와일은 기존의 실리콘 반도체와 전혀 다른 기술이 등장할 것으로 예측하고 있더군요. 마치 진공관 스위치가 트랜지스터 스위치로 변경 된 것처럼 말이죠...